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本公开涉及具有减小的高度的虚设鳍及其形成方法。一种方法，包括：将第一突出半导体鳍和虚设鳍形成为突出得比隔离区域的顶表面高。第一突出半导体鳍平行于虚设鳍，在第一突出半导体鳍的第一部分和虚设鳍的第二部分上形成栅极堆叠件。该方法还包括使得第一突出半导体鳍的第三部分凹陷以形成凹槽，使得虚设鳍的第四部分凹陷以减小虚设鳍的第四部分的高度，以及在凹槽中形成外延半导体区域。外延半导体区域朝向虚设鳍生长。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113078111 A
(43)申请公布日 2021.07.06
(21)申请号 202011630339.1 H01L 27/092 (2006.01)
(22)申请日
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