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本发明涉及深槽和结混合隔离。实施例涉及一种设备，包括横向扩散的金属氧化物半导体(LDMOS)，所述LDMOS包括可连接到漂移区的漏极和可连接到基体区的源极。二极管包括电耦合到所述漂移区的阴极，其中在工作状态期间，阳极充电到小于施加到所述漏极的高电压且大于施加到所述源极的低电压的偏置电压。所述阳极从所述漏极横向地移开第一距离。第一深槽隔离(DTI)在所述源极附近且安置成横向地环绕所述LDMOS。屏蔽结在所述第一DTI附近且在所述源极的相对侧上，且电连接到所述阳极。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113078219 A
(43)申请公布日 2021.07.06
(21)申请号 202110010939.6
(22)申请日 2021.01.06
(30)优先权数据
16/735,02
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