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本发明涉及一种通过调节碳硅比分布提高晶体质量的方法,属于碳化硅晶体制备技术领域。为解决PVT法制备碳化硅晶体时碳硅比分布不均的问题,本发明提供了一种通过调节碳硅比分布提高晶体质量的方法,向石墨坩埚中加入碳化硅粉料,在碳化硅粉料中心位置插入辅助碳源,在石墨坩埚盖上粘接籽晶,组合石墨坩埚体与石墨坩埚盖,进行碳化硅晶体生长,得到碳化硅晶体;所述辅助碳源包括长条形中心基体和设置在所述中心基体外表面的若干翅片,所述翅片的长度方向与中心基体的长度方向平行,所述中心基体底部设有锥形插入部。本发明平衡了整个籽晶
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113061985 B
(45)授权公告日 2022.06.28
(21)申请号 202110302502.X (51)Int.Cl.
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