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一种冷泉发育区储层非均质性的反演方法.pdfVIP

一种冷泉发育区储层非均质性的反演方法.pdf

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    本发明涉及一种冷泉发育区储层非均质性的反演方法，首先采用区域压实趋势作为低频趋势模型一；其次将反射地震的速度场转换为纵波阻抗，建立低频趋势模型二；沿不同地层的多种属性，确定烟囱状反射体的空间分布范围；利用测井数据，分析水合物层的纵波阻抗直方概率，将烟囱状反射体内水合物层的纵波阻抗期望值作为低频背景值；将压实趋势低频模型与速度场低频模型合并建立区域低频模型，再将烟囱发育区低频模型与区域低频模型相结合，建立用于冷泉发育区非均匀分布的水合物的低频模型，并进行储层弹性参数反演。本方法兼顾了高富集呈烟囱状

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113093286 B (45)授权公告日 2022.08.02 (21)申请号 202110274142.7 (51)Int.Cl.

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