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半导体结构及其形成方法.pdfVIP

半导体结构及其形成方法.pdf

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    一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底；在基底上形成待刻蚀层；在待刻蚀层上形成分立的核心层；在核心层的顶部和侧壁、以及待刻蚀层表面形成侧墙膜；去除位于核心层的顶部和待刻蚀层表面的侧墙膜，保留位于核心层侧壁上的剩余侧墙膜作为侧墙，位于相邻核心层侧壁上的相邻侧墙与待刻蚀层围成多个第一凹槽，第一凹槽沿第一方向延伸；在部分的第一凹槽中形成阻断层，阻断层沿第二方向填充第一凹槽，第二方向与第一方向相垂直；形成阻断层后，去除核心层，形成第二凹槽，第二凹槽和第一凹槽由侧墙相隔离；以侧墙和阻断层为掩膜

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113097060 A (43)申请公布日 2021.07.09 (21)申请号 20201

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