一种基于掺钛氧化铌的1S1R器件及其制备方法.pdfVIP

一种基于掺钛氧化铌的1S1R器件及其制备方法.pdf

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本发明提供了一种基于掺钛氧化铌的1S1R器件及其制备方法,该器件包括:底电极;转换层;阻变层;顶电极;转换层为钛掺杂的氧化铌。本申请的器件,转换层为钛掺杂的氧化铌,基于该材料制得的选通管有操作电压十分稳定、抗高脉冲电流等优点;阻变层采用氮化硅薄膜,由于氮化物的存在使得氧空位移动受到限制,使得氧空位更为可控。本申请采用掺钛氧化铌作为选通管功能层和氮化硅薄膜作为阻变层,使制得的1S1R器件具有稳定的SET电压、RESET电压、负极性阈值电压和正极性保持电压等相关操作电压,明显的存储窗口和选通比(非线

(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113066927 B (45)授权公告日 2023.04.07 (21)申请号 202110170101.3 (51)Int.Cl .

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