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本发明涉及一种真空镀膜器,属半导体器件领域,它由真空罩1、镀膜支承片2、绝缘杆3、底盘支架4、直流正电极5、直流负电极6、电炉7、钳锅8、电炉引出綫9、抽真空阀10、真空泵11、真空表阀12、真空表13、底盘14、密封垫圈15、待镀物16。若要将待镀物16镀到镀膜支承片2上的物件表面,可把电炉7与钳锅8置于底盘14后将待镀物16碎削放在钳锅8内,然后把真空罩1罩在底盘14上再开启真空泵11抽真空,当真空罩1内真空度达到100Pa以下时,向电炉7送电加热钳锅8内的待镀物16,同时开启真流正电极5及
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113061846 A
(43)申请公布日 2021.07.02
(21)申请号 202110280645.5
(22)申请日 2021.03.16
(71)申请人 重庆大学
地址 40
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