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本发明提供一种二硫化钼纳米片@硫化钴纳米颗粒原位阵列电极的制备方法,在基底表面水热生长二硫化钼纳米片阵列;将钴盐溶于挥发非水溶剂,并涂布到二硫化钼纳米片阵列表面,干燥待用;再将样品放在S+NH4Cl气氛中或S+双氰胺气氛中进行硫化钴纳米颗粒的CVD沉积,随炉冷却取出即可。NH4Cl或双氰胺作为刻蚀剂,适量添加有利于减小硫化钴纳米颗粒尺寸,促进二硫化钼和硫化钴的界面接触。所制备的该原位电极具有优异的电催化氢气析出反应(HER)活性。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113061928 B
(45)授权公告日 2022.05.20
(21)申请号 202110315443.X B82Y 40/00 (2011.01)
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