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半导体结构及其制作方法.pdfVIP

半导体结构及其制作方法.pdf

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    本发明涉及一种半导体结构及其制作方法，包括：衬底，所述衬底包括外围区和芯片区；第一介质层，位于所述衬底的所述外围区和所述芯片区上；保护结构和功能结构，分别位于所述外围区和所述芯片区的所述第一介质层中；其中，所述保护结构包括依次堆叠的第一子部分、第二子部分和第三子部分，所述功能结构包括依次堆叠的第四子部分和第五子部分，所述第一子部分、所述第二子部分和所述第三子部分的总高度与所述第四子部分和所述第五子部分的总高度相同。该半导体结构更加稳固，拦截面积更大，对芯片的保护作用更强。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113066763 B (45)授权公告日 2022.04.26 (21)申请号 202110315842.6 (56)对比文件

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