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半导体结构及其形成方法.pdfVIP

半导体结构及其形成方法.pdf

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    一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底；在所述基底上形成硬掩膜层；形成多个贯穿所述硬掩膜层的第一开口；在所述第一开口中填充牺牲层，所述牺牲层的耐刻蚀度小于所述硬掩膜层的耐刻蚀度；去除位于相邻所述牺牲层之间的部分硬掩膜层，形成贯穿硬掩膜层的第一凹槽，所述第一凹槽的侧壁暴露出所述牺牲层；在所述第一凹槽的侧壁形成侧墙；形成所述侧墙后，去除所述牺牲层，形成第二凹槽，所述第二凹槽和第一凹槽之间被所述侧墙隔离；以所述硬掩膜层和所述侧墙为掩膜，刻蚀所述第一凹槽和第二凹槽底部的基底，形成目标图形。本

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113097065 A (43)申请公布日 2021.07.09 (21)申请号 20201

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