掩膜结构、半导体结构及制备方法.pdfVIP

下载本文档

0
0
约2.17万字
约 22页
2023-06-13 发布于四川
举报
版权申诉

掩膜结构、半导体结构及制备方法.pdf

1、本文档共22页，其中可免费阅读21页，需付费10金币后方可阅读剩余内容。
2、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。
3、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
4、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

本发明公开了一种掩膜结构、半导体结构及制备方法，掩膜结构的制备方法包括：图形化第一牺牲层及第一硬掩膜层，以得到第一牺牲图形，第一牺牲图形暴露第一刻蚀停止层；于第一牺牲图形的侧壁形成第一初始掩膜图形；去除第一牺牲图形；基于第一初始掩膜图形去除暴露出顶面的部分第一刻蚀停止层；去除第一初始掩膜图形，以位于图形转移层的上表面的剩余第一刻蚀停止层为第一掩膜图形；于第一掩膜图形上形成第二掩膜图形，得到具有对称形貌的第一掩膜图形和第二掩膜图形的掩膜结构，消除因材料选择比的差异引起的负载效应，使得在图形向下转移

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113097139 A (43)申请公布日 2021.07.09 (21)申请号 202110333446.6 (22)申请日 2021.03.29 (71)申请人长鑫存储技术有限公司

您可能关注的文档

文档评论（0）

知识产权出版社 + 关注: 官方认证

文档贡献者

知识产权出版社有限责任公司（原名专利文献出版社）成立于1980年8月，由国家知识产权局主管、主办。长期以来，知识产权出版社非常重视专利数据资源的建设工作，经过多年来的积累，已经收藏了数以亿计的中外专利数据资源。

咨询Ta 进入空间

认证主体北京中献电子技术开发有限公司

IP属地四川

统一社会信用代码/组织机构代码: 91110108102011667U

1亿VIP精品文档

更多 >

掩膜结构、半导体结构及制备方法.pdfVIP