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2023-06-13 发布于四川
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本发明公开了一种灰度掩模图形，在掩膜版上制作用于光刻形成具有一定倾角的斜坡；所述灰度掩膜图形的中心为一正方形结构，在所述正方形的四周分别排布有多行及多列的小尺寸的矩形孔结构阵列；以上边为初始、顺时针方向依次定义正方形的四条侧边分别为上侧边、右侧边、下侧边及左侧边；在正方形结构的上侧边外侧，定义平行于上侧边的为行，所述上侧边的外侧具有不少于3行的矩形孔结构；于同一行上的矩形孔结构具有相同的尺寸，位于不同行上的矩形孔结构具有不同的尺寸；所述矩形孔结构的尺寸，是从整个灰度掩膜图形的中心处往外侧方向不同

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113093468 A (43)申请公布日 2021.07.09 (21)申请号 202110346096.7 (22)申请日 2021.03.31 (71)申请人上海华虹宏力半导体制造有限公司

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