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2023-06-13 发布于四川
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半导体结构的制备方法及半导体结构.pdf

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本发明提供一种半导体结构的制备方法及半导体结构，涉及半导体技术领域，该半导体结构的制备方法包括提供基底、第一掩膜版和第二掩膜版，分别以第一掩膜板和第二掩膜版刻蚀基底，以在基底上形成第一凹槽和第二凹槽，基底中第一凹槽和第二凹槽所在的区域构成位线凹槽；在位线凹槽内形成导电层。本发明通过使第一掩膜版具有多个沿第一方向的第一掩膜条，第二掩膜版上具有多个沿第二方向的第二掩膜条，第一掩膜条和第二掩膜条在基底上投影相交，当利用第二掩膜版作为掩膜蚀刻基底时，即使第二掩膜版沿第一方向或者第二方向发生偏移，也不会改

(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113097146 B (45)授权公告日 2022.06.17 (21)申请号 202110348261.2 H01L 27/108 (2006.01) (22)申请日 2021.0

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