掩膜结构、半导体结构及制备方法.pdfVIP

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2023-06-13 发布于四川
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掩膜结构、半导体结构及制备方法.pdf

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本发明公开了一种掩膜结构、半导体结构及制备方法，掩膜结构的制备方法包括：图形化牺牲层及第二介质层，以形成包括由下至上依次层叠的第一图形及第二图形的图形结构，图形结构下部的宽度小于图形结构上部的宽度；于图形结构的侧壁形成初始掩膜图形；于位于不同图形结构侧壁的相邻初始掩膜图形之间填充第一填充层；去除第二图形及位于第二图形侧壁的初始掩膜图形；去除第一填充层、第一图形，以于第一介质层的上表面形成第一掩膜图形，第一掩膜图形沿第一方向延伸；于第一掩膜图形上形成第二掩膜图形，第二掩膜图形沿第二方向延伸，第二方

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113097141 A (43)申请公布日 2021.07.09 (21)申请号 202110336053.0 (22)申请日 2021.03.29 (71)申请人长鑫存储技术有限公司

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