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一种晶界层半导化陶瓷基片用氧化剂及其涂覆方法.pdfVIP

一种晶界层半导化陶瓷基片用氧化剂及其涂覆方法.pdf

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    一种晶界层半导化陶瓷基片用氧化剂及其涂覆方法，组分按质量百分比为：Bi2O340％～70％、Pb3O420％～50％、CuO5％～20％、B2O310％～15％、Al2O35％～15％、NiO0.1％～5％、MnO20.1％～5％。所得晶界层陶瓷基片介电常数为30000±3000，介电损耗0.3％～0.8％，绝缘电阻≥1011Ω，容量温度变化率≤±15％(‑55℃～125℃)，介电常数允许偏差＜±10％，解决了现有氧化剂及其涂覆方法制备的电容器绝缘电阻低、电容量波动范围大等问题。决

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113072376 A (43)申请公布日 2021.07.06 (21)申请号 202110388803.9 C04B 41/90 (2006.01)

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