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实施例包括在中介层的衬底中部分地形成第一通孔，该第一通孔延伸到中介层的衬底的第一侧。该方法还包括将第一管芯接合到中介层的衬底的第一侧。该方法还包括使中介层的衬底的第二侧凹进以暴露第一通孔，第一通孔从中介层的衬底的第二侧突出，其中，在凹进之后，中介层的衬底的厚度小于50μm。该方法还包括在中介层的衬底的第二侧上形成第一组导电凸块，第一组导电凸块中的至少一个电耦合到暴露的第一通孔。本申请的实施例还涉及半导体封装件及其形成方法。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113078144 A
(43)申请公布日 2021.07.06
(21)申请号 202110046168.6 H01L 23/48 (2006.01)
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