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本发明属于微电子和半导体加工技术领域，一种改善TaOx基阻变存储器可靠性的硅掺杂磁控溅射工艺，包括以下步骤：(1)清洗SiO2/Si衬底，(2)在SiO2/Si衬底上采用磁控溅射方法镀制下电极TiN薄膜，(3)在下电极TiN薄膜上采用磁控溅射沉积TaOx薄膜并掺杂Si，(4)把经步骤3溅射沉积的Si掺杂TaOx薄膜进行退火，(5)磁控溅射镀制上电极。本发明在TaOx薄膜中掺杂Si，能有效的调节TaOx薄膜中缺陷结构，增加了氧空位浓度，降低了器件的操作电压，增大了记忆窗口，提高器件的可靠性，且工艺
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113088912 B
(45)授权公告日 2021.12.07
(21)申请号 202110364458.5 C23C 14/02 (20
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