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本发明涉及一种掩膜图形的制备方法,包括:形成由下至上叠置的图形转移层、刻蚀停止层、牺牲层及硬掩膜层;图形化硬掩膜层及牺牲层,以得到牺牲图形,牺牲图形暴露出刻蚀停止层;于牺牲图形的侧壁形成侧墙结构;去除牺牲图形;于侧墙结构之间形成填充层,侧墙结构与填充层的刻蚀选择比大于100;去除侧墙结构,以形成初始掩膜图形;基于初始掩膜图形刻蚀刻蚀停止层及图形转移层,以将初始掩膜图形的图案转移至图形转移层,以得到目标掩膜图形。本申请可以降低RSADP工艺中去除侧墙后形成的侧墙缝隙及基于去除侧墙后形成的缝隙继续刻
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113078117 A
(43)申请公布日 2021.07.06
(21)申请号 202110340696.2
(22)申请日 2021.03.30
(71)申请人 长鑫存储技术有限公司
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