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一种基于双脉冲测试的碳化硅MOSFET关断过程建模方法.pdfVIP

一种基于双脉冲测试的碳化硅MOSFET关断过程建模方法.pdf

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    本发明提供了一种基于双脉冲测试的SiCMOSFET关断过程建模方法，包括如下步骤：搭建基于SiCMOSFET的双脉冲测试电路；基于所述SiCMOSFET关断过程中的各中间模态，建立各中间过程的等效电路；基于各中间过程的等效电路，建立关断过程的状态空间方程组；对所建立的微分方程组进行求解，从而得出基于SiCMOSFET的双脉冲测试电路的关断过程模型。本发明在传统关断模型的基础上提出了一种新的中间模态，能够用于分析极低损耗的关断过程；同时本模型充分考虑了回路中寄生参数以及SiC器件本身的非线

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113076712 B (45)授权公告日 2022.05.17 (21)申请号 202110367212.3 G06F 30/23 (2020.01)

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