一种SnS2/WO3纳米片阵列光阳极及其制备方法.pdfVIP

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2023-06-13 发布于四川
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一种SnS2/WO3纳米片阵列光阳极及其制备方法.pdf

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本发明提供了一种SnS2/WO3纳米片阵列光阳极及其制备方法，包括以下步骤：(1)首先采用阳极氧化法在W箔上制备多孔WO3薄膜。(2)以四氯化锡和硫粉为原料，采用气相沉积法，使用双温控管式炉进行反应，在步骤(1)所制备的多孔WO3薄膜表面气相沉积SnS2纳米片阵列，获得SnS2/WO3纳米片阵列异质结光阳极。本发明方法制得到的SnS2/WO3纳米片阵列异质结光阳极具有较高的光催化分解水活性和稳定性。为采用气相沉积法制备性能更好的SnS2纳米片异质结光阳极并改进光催化分解水性能提供了一种有效方法。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113066670 A (43)申请公布日 2021.07.02 (21)申请号 202110344262.X (22)申请日 2021.03.31 (71)申请人桂林理工大学

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