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半导体发光元件.pdfVIP

半导体发光元件.pdf

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    本发明提供了一种半导体发光元件，依次包括：衬底、n型氮化物半导体层、量子阱层以及p型氮化物半导体层，所述半导体发光元件还包括调控层，其位于所述n型氮化物半导体层与所述量子阱层之间，或者位于所述量子阱层与p型氮化物半导体层之间。即通过在所述半导体发光元件中增加一层调控层，能够调控V‑pits的开启和密度，增加空穴注入和载流子辐射复合效率，以及增加电流扩展能力，进而提升所述半导体发光元件的发光效率。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113097359 B (45)授权公告日 2022.08.26 (21)申请号 202110344768.0 (51)Int.Cl.

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