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本发明涉及一种高洁净度APCVD成膜设备及其成膜方法,所属硅片成膜设备技术领域,包括APCVD成膜组件,所述的APCVD成膜组件前端设有与APCVD成膜组件呈一体化的风机过滤仓,所述的风机过滤仓前端设有粘尘垫。所述的APCVD成膜组件包括成膜箱体,所述的成膜箱体下端设有成膜机架,所述的成膜机架与成膜箱体间设有加热器,所述的成膜箱体内设有衬底,所述的成膜箱体上端设有与衬底相连通的主反应剂进料管,所述的主反应剂进料管两端均设有与衬底相连通的辅助反应剂进料管。具有结构简单、致密性强和均匀性好的特点。解
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113061877 A
(43)申请公布日 2021.07.02
(21)申请号 202110361674.4
(22)申请日 2021.04.02
(71)申请人 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司
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