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2023-06-13 发布于四川
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一种TSV结构及TSV电镀工艺.pdf

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本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种TSV结构及TSV电镀工艺。本发明的TSV结构包括硅片，所述硅片上设置有通孔，所述通孔内电镀填充有TSV金属，所述TSV金属露头部分与硅片的上表面和下表面齐平，所述硅片的表面沉积有钝化层，所述硅片两侧的钝化层上设置有种子层，所述钝化层为绝缘层或氧化层。本发明在硅片和载片的表面制作种子层，然后把硅片和载片临时键合在一起，通过在硅片边缘种子层表面施加电流的方式使电流直接通到TSV盲孔的底部，实现电镀从底部开始的目的，由于TSV盲孔所在区域的硅片侧壁和开口区域只设

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113078131 A (43)申请公布日 2021.07.06 (21)申请号 202110309153.4 (22)申请日 2021.03.23 (71)申请人浙江

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