压接型功率半导体模块结构及其子单元和制作方法.pdfVIP

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2023-06-13 发布于四川
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压接型功率半导体模块结构及其子单元和制作方法.pdf

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本发明涉及一种压接型功率半导体模块结构及其子单元和制作方法，属于功率半导体器件领域。包括绝缘框架和从下至上依次堆叠于绝缘框架内的银片、下钼片、芯片和上钼片；绝缘框架上设置有弹簧针，弹簧针与芯片的栅极相连；下钼片接触芯片的表面开设有水平贯通的沟槽，光纤穿过沟槽，并且沟槽内的光纤上集成有一个以上的光栅。可以方便地实现对器件封装内部芯片结温的分布式在线实时测量。而且，光纤光栅体积小，重量轻，对结构影响小，易于布置；只需在正常的封装过程中，增加光纤光栅的安装步骤。光纤制作材料的电绝缘性好，集成后不影响压

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113066785 A (43)申请公布日 2021.07.02 (21)申请号 202110292578.9 G01K 11/32 (2021.01) (22)申请日 2

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