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一种InAlGaN/GaN异质结结构及其生长方法，属于半导体材料外延生长技术领域。采用MOCVD方法在衬底层上依次外延生长GaN沟道层和InAlGaN势垒层，通过控制生长条件生长In：Al组分比约为1:5的InAlGaN势垒层，使InAlGaN势垒层与GaN沟道层实现a轴晶格匹配。本发明方法可以获得a轴晶格匹配的InAlGaN/GaN异质结，消除势垒层与沟道层之间的晶格失配，可以解决目前高Al组分AlGaN/GaN基电子器件中由于晶格失配而导致的结晶质量下降问题，可显著降低强电场下短沟道电子器件
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113066851 A
(43)申请公布日 2021.07.02
(21)申请号 202110256600.4
(22)申请日 2021.03.09
(71)申请人 吉林
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