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本发明提供一种基于氧掺杂的Sb2Te3相变材料、相变存储器及制备方法，属于微纳电子技术领域，其采用简单的掺杂工艺实现对Sb2Te3的微观结构及器件特性进行全面调控的方法及其应用，在Sb2Te3相变层中形成“壳‑核”微观结构，其中，非晶低热导率的“壳层”晶界起到类似于异质界面的作用，对发生相变的晶粒也即“核”部进行物理隔断，并起到热阻作用，改善电热利用效率，降低RESET功耗。其中，非晶壳层晶界阻隔Sb2Te3晶粒在相变过程中的原子迁移，提高器件的可靠性及循环擦写次数。同时，掺杂元素与核部相变材料
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113072915 B
(45)授权公告日 2022.03.11
(21)申请号 202110312530.X CN 109166965 A,2019.01.08
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