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非晶碳膜的形成方法及半导体结构.pdfVIP

非晶碳膜的形成方法及半导体结构.pdf

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    本申请涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种非晶碳膜的形成方法及半导体结构。所述非晶碳膜的形成方法包括如下步骤：提供衬底；传输包括掺杂源和碳源的前驱体至所述衬底表面，形成具有掺杂离子的非晶碳膜，所述掺杂离子的辐射能大于所述非晶碳膜中碳氢键的键能。本申请降低了非晶碳膜中氢元素的含量，相应提高了非晶碳膜中的碳氢比，从而达到提高非晶碳膜硬度和刻蚀选择比的效果，为改善半导体结构的良率、降低光刻工艺中的光阻成本以及促进技术节点的进步都起到了积极地作用。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113078043 A (43)申请公布日 2021.07.06 (21)申请号 202110314271.4 (22)申请日 2021.03.24 (71)申请人 长鑫存储技术有限公司

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