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本发明公开了一种势垒调节类型的距离信息获取传感器,其特征在于,包含半导体基体,其包含了转化区以将光信号转化为光生电荷,所述半导体基体的之一表面附近区域包含有第一类型掺杂区,所述转化区与所述第一类型掺杂区的掺杂不同,所述第一类型掺杂区延伸至所述半导体基体之一表面的部分区域连接控制部的栅极,所述转化区包含了势垒调整的区域,所述势垒调整区与包围浮动扩散节点的P阱区域相接触或间隔预设间隙,通过本发明的势垒调整区设置将图像传感器在最底层的像素单元上进行了优化,保证了从转化区至浮动扩散节点的传输阻力变小,从
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113093151 A
(43)申请公布日 2021.07.09
(21)申请号 202110338868.2
(22)申请日 2021.03.30
(71)申请人 宁波飞芯电子科技有限公司
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