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本公开实施例提供一种半导体装置。半导体装置包括介电层及接点结构，介电层位于基板上，接点结构埋置于介电层中。接点结构包括扩散阻挡层以接触介电层，且扩散阻挡层包括含钛合金。导电结构还包括衬垫层于扩散阻挡层上，且衬垫层包括贵金属。接点结构还包括导电插塞于衬垫层上。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113097176 A
(43)申请公布日 2021.07.09
(21)申请号 202011407727.3
(22)申请日 2020.12.04
(30)优先权数据
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