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一种具有深紫外探测功能的MgGaZnO薄膜的制备方法.pdfVIP

一种具有深紫外探测功能的MgGaZnO薄膜的制备方法.pdf

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    本发明公开了一种具有深紫外探测功能的MgGaZnO薄膜的制备方法，所述方法包括如下步骤：步骤一、制备MgGaZnO陶瓷靶材；步骤二、将石英衬底和MgGaZnO陶瓷靶材放入磁控溅射设备的真空室中进行磁控溅射，得到MgGaZnO薄膜材料；步骤三、将步骤二得到的MgGaZnO薄膜材料进行高温退火处理，得到MgGaZnO薄膜。该方法制备了一种禁带宽度为5.6eV即探测波段位于220nm处的单一立方相的MgGaZnO薄膜材料，解决了MgZnO日盲紫外探测器薄膜材料高镁组分下存在的分相问题，同时通过Ga掺杂

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113088907 A (43)申请公布日 2021.07.09 (21)申请号 202110323797.9 (22)申请日 2021.03.26 (71)申请人 哈尔滨工业大学 地址

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