基于GaAs pHEMT工艺的超宽带低电流驱动放大器.pdfVIP

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2023-06-13 发布于四川
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基于GaAs pHEMT工艺的超宽带低电流驱动放大器.pdf

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本发明公开了基于GaAspHEMT工艺的超宽带低电流驱动放大器，其包括信号输入端、信号输出端、共源共栅放大单元、电流复用放大单元、输入匹配单元、输出匹配单元、自偏置电路以及电流复用电路；还包括位于共源共栅放大单元和电流复用放大单元之间的级间匹配单元、位于输入匹配单元和级间匹配单元之间的第一反馈电路、以及位于级间匹配单元和输出匹配单元之间的第二反馈电路；所述共源共栅放大单元中的晶体管PHEMT1的源极与自偏置电路相连；所述电流复用放大单元中的晶体管PHEMT3的源极与电流复用电路相连。本发明在实

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113098403 A (43)申请公布日 2021.07.09 (21)申请号 202110352306.3 (22)申请日 2021.03.31 (71)申请人南京米乐为微电子科技有限公司

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