一种用于离子注入机的阴极盾、离化反应腔材料及其制备方法.pdfVIP

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2023-06-13 发布于四川
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一种用于离子注入机的阴极盾、离化反应腔材料及其制备方法.pdf

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本发明适用于材料技术领域，提供了一种用于离子注入机的阴极盾、离化反应腔材料及其制备方法，其中，所述用于离子注入机的阴极盾、离化反应腔材料包括以下重量百分比的原料：氧化镧1%‑1.2%、余量为二氧化钼。本发明通过将特定比例的氧化镧掺杂入二氧化钼中所得到的用于离子注入机的阴极盾、离化反应腔材料具有优异的抗腐蚀性能，将其制造成阴极盾、离化反应腔进行离子注入芯片时，极大地减弱三氟化磷离子注入气对金属钼材料见光死效应，可使阴极盾、离化反应腔的使用寿命比原来纯钼、TZM钼合金的产品提高了三倍，大大降低了芯片

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113088914 A (43)申请公布日 2021.07.09 (21)申请号 202110353246.7 (22)申请日 2021.04.01 (71)申请人上海西普瀚芯电子科技有限公司

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