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本发明公开了低功耗宽电压范围的超低压基准源电路,属于集成电路技术领域。包括基准产生电路、自偏置电路、启动电路和DIBL效应补偿电路。其中基准产生电路利用厚栅、薄栅MOS管的阈值电压差产生具有零温度系数的基准输出电压;自偏置电路用于为基准产生电路提供偏置电流;启动电路为基准源电路提供启动信号;DIBL效应补偿电路提供具有正电压系数的补偿电流,与自偏置电路产生的具有正电压系数的电流相减,获得零电压系数的偏置电流,以此获得低线性敏感度的基准输出电压。基准产生电路、自偏置电路和DIBL效应补偿电路均工作
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113093855 B
(45)授权公告日 2022.04.22
(21)申请号 202110325778.X 审查员 王佳玉
(22)申请日 2021.03.26
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