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本发明涉及一种通过光刻技术制备硒化铟光电探测器的方法，由上至下依次包括硅衬底、氧化铝、硒化铟、氧化铝、源电极和漏电极。本发明可以比较简单的制备高性能、高稳定的硒化铟光电探测器，硒化铟场效应迁移率高达875cm2/Vs，其响应度高达2.4×107A/W，比探测率为7.5×1012Jones。由于氧化铝的保护，器件在大气环境中可以稳定工作超过50天。通过适当的ICP刻蚀，可以有效降低接触电阻，从而提高器件的迁移率。氧化铝作为一种常见的封装材料，可以将本方法应用于其他的半导体材料中。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113066905 A
(43)申请公布日 2021.07.02
(21)申请号 202110387852.0
(22)申请日 2021.04.12
(71)申请人 山东大学
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