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半导体装置以及其形成方法.pdfVIP

半导体装置以及其形成方法.pdf

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    本发明提供一种半导体装置以及其形成方法，该形成方法包含以下步骤：提供半导体衬底；形成焊垫层于半导体衬底上；形成第一钝化层于焊垫层上；形成第二钝化层于第一钝化层上，其中第二钝化层包含多晶硅；形成氧化层于第二钝化层上；形成氮化层于氧化层上；移除氧化层的一部分以及氮化层的一部分，以暴露出第二钝化层的一部分；移除经暴露的该第二钝化层的一部分，以暴露出第一钝化层的一部分；以及移除经暴露的第一钝化层的一部分，以暴露出焊垫层的一部分。本发明能够有效改善作为顶部金属层的焊垫层的良品率。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113097075 A (43)申请公布日 2021.07.09 (21)申请号 20201

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