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用于电性绝缘P侧向下接合的半导体镭射芯片的N侧区域及P侧区域的技术.pdfVIP

用于电性绝缘P侧向下接合的半导体镭射芯片的N侧区域及P侧区域的技术.pdf

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    大致上揭露有具有电性绝缘的P侧区域的多重量子井半导体镭射芯片以及形成此多重量子井半导体镭射芯片的制程。多重量子井半导体镭射芯片于此亦称为多重量子阱半导体镭射器或简称为半导体镭射器，此多重量子井半导体镭射芯片包含电性绝缘材料层，电性绝缘材料层沿侧壁的至少一部分延伸，以最小化或减少在使用P侧接合技术时多重量子井半导体镭射芯片的P侧及N侧之间发生电性短路的可能性。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113097865 A (43)申请公布日 2021.07.09 (21)申请号 202011608332.X (22)申请日 2020.12.30 (30)优先权数据

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