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本发明公开了一种利用沙漠硅制备晶体管集成电路的方法及装置，包括离子化组件、偏转组件和沉积组件，在硅烷进气管中通入硅烷，使得阳极壳中的空气排净，然后对阴极壳和阳极壳通电使得可以将硅烷电离形成离子态硅，然后通过阳极壳内的高压电场将离子态硅送入离子束洛伦兹感应加速器进行加速，进入带电转印管内，在高频交流电压源作用下在带电转印管内形成偏转电场，从而可以使硅在离子吸附膜上形成图形，并感应到带电转印板上，在沉积反应原料入口加入硅烷，并通过微波电离后，通过沉积反应器使硅附着到带电转印板上以制造集成电路。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113097045 A
(43)申请公布日 2021.07.09
(21)申请号 202110232073.3 C23C 16/34 (2006.01)
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