一种Ta表面掺杂的高镍单晶正极材料及制备方法.pdfVIP

一种Ta表面掺杂的高镍单晶正极材料及制备方法.pdf

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本发明公开了Ta表面掺杂的高镍单晶正极材料及其制备方法，所述单晶正极材料包括：单晶正极材料(LiNixCoyMn1‑x‑yO2,x＞0.6，y＜0.2)内核和由Ta离子表面掺杂形成的金属富集层LiTam(NixCoyMn1‑x‑y)1‑mO2,x＞0.6，y＜0.2,0

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113066978 B (45)授权公告日 2022.04.29 (21)申请号 202110278978.4 H01M 4/505 (2010.01)

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