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本申请公开了一种绝缘栅双极型场效应管IGBT、组及功率变换器，IGBT包括：半导体芯片、设置在半导体芯片周围的栅极引脚、设置在半导体芯片上的发射极区域和n个栅区域；n为大于等于2的整数；n个栅区域中的a个栅区域连接栅极引脚；a大于等于1小于等于n；连接栅极引脚的栅区域的数量a不同时对应IGBT适用于不同的开关频率及损耗；n个栅区域中的n‑a个栅区域连接发射极区域。连接栅极引脚的所有栅区域的周围会形成导电沟道，导电沟通供发射极的注入电子通过，发射极注入电子对应的导电沟道增加，使得集电极和发射极之间
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113066775 A
(43)申请公布日 2021.07.02
(21)申请号 202110183813.9
(22)申请日 2021.02.10
(71)申请人 华为技术有限公司
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