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本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种具有变K介质槽复合终端的氧化镓结势垒肖特基二极管(JBSD)。本发明的主要特征是新器件引入了变K介质槽复合终端，且复合终端主要包含：与氧化镓相比具有更小介电常数和更高临界击穿电场强度的凹槽形状介质层，填充在凹槽形状介质层上且介电常数更大的介质层，与阳极金属连接的倾斜场板。反向阻断时，凹槽形状介质层使器件能在较短终端长度下承受高外加电压；倾斜场板和填充介质层能吸引电位移线，从而大幅缓解有源区边界PN结的电场尖峰，提高器件耐压。相较于采用常规终端结构的氧化镓JB
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113066871 A
(43)申请公布日 2021.07.02
(21)申请号 202110317636.9 H01L 29/47 (2006.01)
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