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本技术涉及能够以更简单的方式来提高抗裂性的半导体装置和固体摄像器件。所述半导体装置具有:上侧基板,其包括Si基板和层叠于该Si基板上的布线层;以及下侧基板,其包括Si基板和层叠于该Si基板上的布线层,所述下侧基板被接合至所述上侧基板。此外,在所述上侧基板中形成有引线接合用或探测用焊盘,而且,在位于所述引线接合用或探测用焊盘与所述下侧基板的所述Si基板之间的各个所述布线层中以呈放射状层叠的方式设置有用于保护所述引线接合用或探测用焊盘的拐角部分或侧边部分的焊盘。本技术能够被应用于固体摄像器件。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113097240 A
(43)申请公布日 2021.07.09
(21)申请号 202110188871.0 (51)Int.Cl.
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