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2023-06-13 发布于四川
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本发明为一种可有效减少SiC单晶缺陷的方法及装置，属于晶体制备领域，是针对现有SiC在制备过程中原料利用率低的缺陷所提出，其包括：坩埚、籽晶和导流罩，坩埚包括坩埚盖和坩埚主体，在坩埚主体内设有原料区，导流罩通过凸台安装在坩埚主体的内壁上，且位于原料区上方，籽晶固定在坩埚盖内侧，且籽晶位于导流罩顶部开口内，在原料区内填充有两种不同粒径的碳化硅原料一和碳化硅原料二，碳化硅原料一与碳化硅原料二被环形石墨滤网分隔，且碳化硅原料一位于环形石墨滤网内部，碳化硅原料二位于环形石墨滤网外周；在导流罩的外侧设有石

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113073384 A (43)申请公布日 2021.07.06 (21)申请号 202110326453.3 (22)申请日 2021.03.26 (71)申请人赵丽丽地址 150

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