一种针对SiC MOSFET消隐时间可调的抗干扰短路保护电路.pdfVIP

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2023-06-13 发布于四川
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一种针对SiC MOSFET消隐时间可调的抗干扰短路保护电路.pdf

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本发明涉及一种针对SiCMOSFET消隐时间可调的抗干扰短路保护电路，包括：Vds监测模块，用于监测SiCMOSFET的源漏电压Vds；Vds比较模块，用于将监测到的源漏电压Vds与阈值进行比较，并输出逻辑信号，还包括：寄存器模块，用于存储所述逻辑信号；时钟产生模块，与所述寄存器模块相连，用于产生所述寄存器模块的所需的工作时钟信号；消隐时间配置模块，与所述寄存器模块相连，用于调节所述寄存器模块的有效位数和工作时钟频率；逻辑处理模块，用于根据所述寄存器模块中存储的逻辑信号，在发生短路时输出短路

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113067565 A (43)申请公布日 2021.07.02 (21)申请号 202110216369.6 (22)申请日 2021.02.26 (71)申请人中国科学院上海微系统与信息技术

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