一种C3N4/SnSe2/H-TiO2异质结光电探测器的制备方法.pdfVIP

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2023-06-13 发布于四川
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一种C3N4/SnSe2/H-TiO2异质结光电探测器的制备方法.pdf

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本发明提供了一种C3N4/SnSe2/H‑TiO2异质结光电探测器的制备方法，包括以下步骤：(1)采用阳极氧化法制备TiO2纳米管；(2)使用双温区真空气氛管式炉生长SnSe2纳米片，得到SnSe2/H‑TiO2异质结；(3)制备含有g‑C3N4纳米片的胶体溶液，通过旋涂法将g‑C3N4纳米片复合到SnSe2/H‑TiO2异质结上，最后在氩气气氛中烧结制备出C3N4/SnSe2/H‑TiO2异质结。本发明方法制得的C3N4/SnSe2/H‑TiO2异质结光电探测器件具有较大的光响应值和探测率。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113097320 A (43)申请公布日 2021.07.09 (21)申请号 202110344916.9 (22)申请日 2021.03.31 (71)申请

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