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本发明提供一种电阻式随机存取存储器及其制造方法。此电阻式随机存取存储器包括形成于基板上的层间介电层、第一底部接触结构及第二底部接触结构。第一存储器单元位于第一底部接触结构上。第一存储器单元包括第一底电极层,且第一底电极层包括第一导电区域。第一导电区域垂直投影于第一底部接触结构的图样为第一投影图样。第二存储器单元位于第二底部接触结构上。第二存储器单元包括第二底电极层,且第二底电极层包括第二导电区域。第二导电区域垂直投影于第二底部接触结构的图样为第二投影图样。第二投影图样不同于第一投影图样。本发明可
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113078258 A
(43)申请公布日
2021.07.06
(21)申请号 20201
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