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本发明的一种内存内计算的金属基可编程逻辑电路及其制备方法,属于微电子技术领域,包括可编程逻辑门,可编程逻辑门由磁性材料构成,磁性材料的宽度处处相同,可编程逻辑门是由两根带有磁尖端的纳米线A与纳米线C组成的三接线端装置,两根带有磁尖端的纳米线A与纳米线C的一段重合构成带磁的易反转板的单根纳米线B,可以消除存储和计算之间的物理间隔,从而打破存储壁垒的限制,大大提高计算机的处理性能,集合了多种逻辑门于一体,实现了磁可编程逻辑器件的设计,未来可大大减少集成电路复杂逻辑门规模。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113113444 A
(43)申请公布日 2021.07.13
(21)申请号 202110650247.8 H01L 43/12 (2006.01)
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