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2023-06-14 发布于四川
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一种基于化合物半导体材料紫外VCSEL芯片及制作方法.pdf

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本发明公开的属于半导体电子信息技术领域，具体为一种基于化合物半导体材料紫外VCSEL芯片及制作方法，包括基底，所述基底的上方设置有外延层，所述外延层的上方设置有发光层，所述外延层包括低温AlN层，所述低温AlN层的上方设置有高温AlN层，所述高温AlN层的上方设置有含硅层，所述含硅层的上方设置有重硅层，所述发光层包括掺硅层，所述掺硅层的上方设置有超晶格层，本发明设计的芯片通过外延和芯片生长制作技术进行制造，能够得到波长在200～280nm的UVC波段紫外光VCSEL，突破和克服了200nm以上的

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113140960 B (45)授权公告日 2022.04.01 (21)申请号 202110347187.2 CN 104282808 A,2015.01.14 (22)

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