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本发明提供一种减小硅局部氧化层的鸟嘴宽度的方法，包括步骤：提供衬底，于所述衬底上形成刻蚀阻挡层；于所述刻蚀阻挡层中形成开口以得到一预处理结构，所述开口显露出所述衬底；对所述预处理结构进行热氧化处理以于所述开口显露出的所述衬底表面形成具有初始厚度的硅局部氧化层，所述硅局部氧化层向所述刻蚀阻挡层的底部延伸形成鸟嘴，所述初始厚度大于所述硅局部氧化层的目标厚度；去除所述刻蚀阻挡层；对所述硅局部氧化层进行湿法刻蚀，以将所述硅局部氧化层的厚度调整到所述目标厚度，在此过程中，鸟嘴宽度缩小。本发明通过改善的工艺
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113130377 A
(43)申请公布日 2021.07.16
(21)申请号 202110401023.3
(22)申请日 2021.04.14
(71)申请人 上海积塔半导体有限公司
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