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2023-06-14 发布于四川
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具有多个栅极端子的半导体器件结构及其形成方法.pdf

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本发明提供了具有多个栅极端子的半导体器件结构及其形成方法。本发明提供了包括具有金属‑半导体接触以及多于一个栅极端子的场效应晶体管的集成电路。在本发明中，提出了具有多个栅极接触件(105)的场效应晶体管的集成电路，多个栅极接触件(105)优选是独立的。使用相同的沟道(101)和由在沟道端部通过金属‑半导体接触形成的共源极漏极接触，栅极接触件(105)彼此相邻。本发明包括一种在具有多个栅极端子的晶体管的适当栅极(105)下方的沟道(101)端部形成精确金属‑半导体合金接触(124)的方法，其与使用相

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113130476 A (43)申请公布日 2021.07.16 (21)申请号 202011618508.X H01L 21/336 (2006.01) (22)申请日

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