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提供半导体装置的制造方法,用于形成无阻障互连层的方法及结构,包含将设置于基底上方的金属层图案化,以形成图案化金属层,图案化金属层包含一个或多个沟槽。在一些实施例中,此方法还包含在一个或多个沟槽中选择性沉积阻障层于图案化金属层的金属表面上。在一些范例中,在选择性沉积阻障层之后,在一个或多个沟槽中沉积介电层。之后,可移除选择性沉积的阻障层,以在图案化金属层与介电层之间形成空气间隙。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113130390 A
(43)申请公布日 2021.07.16
(21)申请号 202110096448.8 H01L 21/8238 (2006.01)
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